黑碳化硅粒度信息推荐

近年来，发展了一种新的烧结方法，就是在碳化硅中加入0.36%的硼和0.25%以上的碳，在2100℃温度下用普通烧结办法使碳化硅烧结到理论密度的96%。

根据含量的不同可以分为几个等级，一级碳化硅98-99%，二级碳化硅97-95%，三级碳化硅97-80%

在配料和出炉过程中会出现一些保温料和陪烧料，在装炉和出炉过程中会有石墨粉的出现，在原材料和出炉过程中会有二级料，一般厂家为了节省资源，都会把二级材料再次放到加工生产炉中作为下次生产黑碳化硅微粉的原材料。

黑碳化硅微粉好坏的判断

黑碳化硅微粉在生产制造过程中，杂质越少，质量越好，由于工艺不同于其他生产工艺，所以判断好坏需要从多方面来进行。

黑碳化硅微粉的制造与生产不同于其他物料的制粉作业，主要是因为在加工的过程当中制粉的同时并要保证物料的粒形度。而粒形度在喷砂、打磨、抛光等行业当中有一定的行业要求、所以需要在保证产品目数的同时还不能破碎其粒形的圆形度，再者就是产品的粉尘与灰分的多少，也是微粉质量好坏的区别。

那么我们就先了解一下黑碳化硅微粉与灰分区分，因为加工设备在开号时根据不同的型号筛分，例如325目黑碳化硅微粉，在筛分过程当中大于或小于325目的产品是不可能混入。无论是风选还是筛分都不可能混入一定比例的产品。

所以有些客户在打磨方面或者抛光方面会出现大量的碳化，或者使用耐磨不持久。而产品灰分大也就是大于325目的碳化硅就属于混入产品，而PVA砂轮在使用过程当中耐酸度实验中会有大量泡沫的出现。这也就是在成品制造过程当中问题的所在。

使用的黑碳化硅微粉质量越好，所加工的工件越形状误差越小，有效的减少了加工时间，省时省力。

黑碳化硅氧化的原因

黑碳化硅材料在普通条件下（如大气1000℃-2000℃）具有较好的性能，这是由于在高温条件下，材料表面形成了一层非常薄的、致密的、与基体集合牢固的SiO2膜，氧在SiO2氧化膜中的扩散系数非常小，因此材料的氧化非常缓慢。材料在这种富氧条件下的缓慢氧化称为惰性氧化。但在某些条件下，如在足够高的温度下或较低的氧分压下，SiC转化为挥发性的SiO2保护膜被环境腐蚀，这将导致材料被快速氧化，即产生活性氧化。而硅材料在使用过程中经常会遇到这种环境。到目前为止，对材料在高温、氧化气氛中，硅材料表面会生成致密的SiO2膜，它的反应为：

　　SiC 3/2O2→ SiO2 CO

　　SiC 2O2 →Sio2 CO2

　　表层SiC到SiO2的转变导致材料的净重增加。这是惰性氧化的特性之一。但是研究表明，SiC的早期氧化产物为玻璃台态SiO2膜。随着氧化温度的升高，约800~1140℃，玻璃态SiO2膜发生晶化。相变将产生体积变化，这使得SiO2保护膜结构变得疏松，进而同黑碳化硅基体集合不牢。这样，其氧化保护作用骤减。另外，当黑碳化硅材料循环使用时，由于SiO2在500℃以下热膨胀系数变化较大，而基材的热膨胀系数变化不大，这样，保护膜与基材间热应力变化较大，保护膜易。对于空隙较多的制品，如氮化硅结合材料，会发生晶界颈部氧化，产生的SiO2导致晶界处体积膨胀，膨胀应力将会导致制品***：的惰性氧化会产生气体产物，这将产泡现象，使SiO2膜的氧化保护作用减小。

　　黑碳化硅出现氧化主要是由于高温或低氧分压的状况下导致其表层被外界侵蚀且发生反应，所以为了保证其使用效果就需要我们在使用时严格把控温度和环境等外界因素，从而确保材料的优良属性不会被***。